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東京理科大学 理学部第一部 応用物理学科 教授 宮川先生「InGaZnO4バルク単結晶の育成技術の開発」

2018/3/9 JFCAイブニングセミナー
東京理科大学 理学部第一部 応用物理学科 教授 宮川先生「InGaZnO4バルク単結晶の育成技術の開発」

トレンドの話題について理解や議論を深めていただくために、平成29年度第4回目のJFCAイブニングセミナーを開催いたします。

 イグゾー。どことなくユーモラスな響きを持ってネーミングされたこの材料は、材料に関係する技術者でなくても、一度は耳にしたことがあると思います。このディスプレイに採用された優れた材料特性に関しては、引き続き多くの研究が行われており、未来においても革新的なテクノロジーを産み出すものであると期待されています。その未来に向けたアプローチは、材料に携わる者としては目が離せない内容であると言えます。
このような背景を踏まえて、東京理科大学 理学部第一部 応用物理学科 教授 宮川先生から「InGaZnO4バルク単結晶の育成技術の開発」についてお話しいただきます。材料技術者のみならず、新技術へのアプローチ方法にご興味のある方々にも満足できる内容であると思います。皆様のご参加をお待ちしています。
 宮川先生HP:https://www.tus.ac.jp/fac_grad/p/intro.php?122f

開催要領は次のとおりです。参加ご希望の方は、申込票にご記入いただきメールまたはFAXでお送り下さい。

日 時  平成30年3月9日(金)16:30~18:30

場 所  JFCA会議室 (東京都港区芝公園1-2-6 ランドマーク芝公園2階)

講演者  東京理科大学 理学部第一部 応用物理学科 教授 宮川 宣明先生    

演 題  「InGaZnO4バルク単結晶の育成技術の開発」

概 要 InGa3(ZnO)n(通称:IGZO)は、高い電気伝導性、高い移動度、さらに可視光に対する高い透明性を現す非常に高いポテンシャルを有した材料であることが知られています。そのため薄膜を中心に精力的な研究がなされ、アモルファスIGZOやc軸配向結晶膜では、高精細フラットパネルやフレキシブル基板のTFT活性層に使われており、注目を集めています。その一方で、大型のバルク単結晶は育成が困難であり、いまだに実現されておらず、大きな課題・問題点の一つとなっています。本研究では、この課題となっているバルク単結晶育成に取り組み、はじめてcmサイズのIGZO単結晶育成に成功したので、ご紹介させていただきます。

スケジュール
16:30~17:30 ご講演
17:30~18:30 フリーディスカッション  
さらに深い質疑応答にはフリーディスカッションスカッションをご活用下さい。

定 員  20人程度 (先着順。原則1社2名様までとさせていただきます。)

参加費
JFCA会員会社ご所属の皆さんの参加費は無料です。
JFCA会員会社以外の企業の方は参加費¥3、000です。
講演中の参加者への飲み物は用意しませんので、必要に応じペットボトル等をお持ち下さい。

参加費(フリーディスカッション)
500円です。ビール・ソフトドリンク等の飲み物と軽いおつまみを用意致します。
なお、領収書の発行は致しません。

お問合せ
(一社)日本ファインセラミックス協会 (JFCA) 佐藤 英樹
〒105-0011 東京都港区芝公園1-2-6 ランドマーク芝公園2階
TEL (03)3431-8271、FAX (03)3431-8284
E-mail sato@jfca-net.or.jp

(お申し込み後に返信がない場合はお問い合わせ願います)

宮川先生イブニングセミナー申込票HP


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