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シナジーセラミックの特許普及データシート ０５９
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| 名称 |
電荷保持素子 |
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| 応用分野 適用分野 |
情報通信分野＞記録デバイス |
製品名称 音声・画像情報ストレイジ
部品名称 |
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| 実施許諾の意思 |
有り |
希望売込先 | |||
| 材料･材質 |
誘電体・磁性体複合材料 | ||||
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発明の概要･技術内容 |
少なくとも１種類の強磁性体金属ＦＭ１からなる電荷注入層Ｊ１と、平均粒径が0nm以下である少なくとも１種類の強磁性体金属からなるＦＭ２を高抵抗媒質Ｉ１中に 分散した記録層Ｒ１からなり、前記強磁性体金属ＦＭ１は少なくとも１カ所以上で前記強磁性体ＦＭ２に５ｎｍ以下の前記高抵抗媒質I1を通して接続されている電荷保持素子。 |
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| 定量的メリット･効果 クーロンブロッケイド効果にスピン依存トンネル確率を相乗することで、磁気によるトンネリング確率を制御出来る新規な電荷保持素子を提供できる。 |
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| セールスポイント 簡便な構成で高性能の電荷保持材料がえられる。 |
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| その他の効果及び波及分野 情報通信分野＞記録デバイス |
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| 出願番号 公開番号 |
H9-286433 出願日 H9/10/20 H11-126474 公開日 |
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| 公告番号 登録番号 |
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| 外国出願 |
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| 出願人 |
１．松下電器産業（株） |
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| 発明者 |
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| 技術の問い合わせ先 | 氏名：飯島賢二
所属: 松下電器産業（株）先端技術研究所 TEL:0774-98-2538 FAX:0774-98-2585 E-mail:iijimak@crl.mei.co.jp |
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| 関連特許文献 |
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| 備考 （専門用語の説明等） |
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