シナジーセラミックの特許普及データシート 218
| 名称 |
窒化アルミニウムの製法 |
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| 応用分野 適用分野 |
高熱伝導性絶縁材料、高耐食材料多孔体 | 製品名称 半導体素子基板、流体透過部材 部品名称 樹脂基板用フィラー |
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| 実施許諾の意思 |
有り | 希望売込先 | 有り | ||
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ノウハウの提供の有無 |
無し | サンプルの提供の 有無 |
未定 | ||
| 従来技術との比較 | 従来、アルミナを炭化水素、アンモニア混合ガス中で焼成すると、AlNが比較的低温で焼成されるが、反応温度と形態保持の面で不十分であった。本発明に示した、特定のアルミナを用いることによって、低温で形態保持の優れたAlNを合成することが可能になった。 | ||||
| 開発レベル | ・要素試験(効果確認) | ||||
| 有望応用先 と商用化までの 開発項目 | 電子部材関連、半導体素子関連、樹脂基板用フィラー 具体的な製品を特定した要素技術の開発が必要、さらにコスト低減と設計・評価技術 |
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| 材料・材質 |
AlN | ||||
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発明の概要・技術内容 |
予め、たとえば_−、_−Al2O3を炭化水素―アンモニア混合気流中で焼成することによって出発物質であるAl2O3の形態を変えることなくAlNに変換させることを基本プロセスとするAlNの製造方法。粒状や繊維等種々の形態を制御することが可能である。 |
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| 定量的メリット・効果 窒化率が50〜100%の形態制御された球状または繊維状AlNあるいはAlNとAl2O3の複合物。 |
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| セールスポイント Al2O3をアンモニアおよび炭化水素からなる混合ガス中で還元窒化することにより、原料の形態を保持したAlNを得ることができることを特徴とする。 |
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| その他の効果及び波及分野 AlNの応用分野への適材適所的な参入が可能。 |
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| 出願番号 公開番号 |
特願2000−285874出願日平成12年9月20日 特開2002−97006 公開日平成14年4月2日 |
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| 公告番号 登録番号 |
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| 外国出願 |
無し | ||||
| 出願人 |
1ファインセラミックス技術研究組合. 2.米屋 勝利 3. |
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| 発明者 |
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| 技術の問い合わせ先 | 氏名:米屋 勝利 所属 横浜国立大学大学院環境情報研究院 TEL:045−339−3957 FAX:045−339−3957 E-mail:komeya@ynu.ac.jp |
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| 関連特許文献 |
T.
Suehiro, J. Tatami, T. Meguro, S. Matsuo and K. Komeya, J. Eur. Ceram.
Soc., 22, 521-526 (2002). T. Suehiro, J. Tatami, T. Ide, T. Meguro, K. Komeya and S. Matsuo, J. Am. Ceram. Soc., 85[3], 715-18 (2002). |
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| 備考 (専門用語の説明等) |
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特許普及データシート補足用図及び表等
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名 称
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窒化アルミニウムの製法
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