発明の概要･技術内容

２種類以上の酸化物半導体をそれぞれの原料粉体を２層以上に積層して、加圧下、真空中での放電プラズマにより直接、低温および短時間で、一段階プロセスによりp型およびn型の酸化物半導体が接合した酸化物熱電素子を製造する方法により、p型半導体特性を有するアルカリ金属および遷移金属を含む導電性金属酸化物化合物等（例えば、NaCo2O4またはNa,Li固溶型正方晶酸化ニッケル）とn型半導体特性を有するウルツ鉱型構造の酸化亜鉛等の導電性酸化物が微粒子として接合した多結晶体の酸化物半導体素子が容易に製造できた。さらに、製造温度および時間は通常の常圧焼結やホットプレス焼結に比べ小さくすることができた。また、生成するそれぞれの多結晶バルク体は数マイクロメータの微細な粒子からなる組織を形成し、電気的な導電性も常圧焼結法に比べ向上した。